Продукція > ONSEMI > FFSM1265A
FFSM1265A

FFSM1265A onsemi

ffsm1265a-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+320.70 грн
10+197.77 грн
100+128.98 грн
500+121.23 грн
1000+113.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM1265A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 12.5A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSM1265A за ціною від 121.51 грн до 422.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSM1265A FFSM1265A onsemi ffsm1265a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.82 грн
10+212.50 грн
100+150.63 грн
500+121.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265A FFSM1265A onsemi ffsm1265a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.63 грн
10+341.54 грн
100+276.30 грн
500+230.48 грн
1000+197.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265A ffsm1265a-d.pdf
FFSM1265A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+333.82 грн
10+212.50 грн
100+150.63 грн
500+121.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM1265A ffsm1265a-d.pdf
FFSM1265A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 12.5A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+422.63 грн
10+341.54 грн
100+276.30 грн
500+230.48 грн
1000+197.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.