FFSM1265A ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 291.33 грн |
| 100+ | 239.66 грн |
| 500+ | 169.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM1265A ONSEMI
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 12.5A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSM1265A за ціною від 169.68 грн до 390.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSM1265A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: QFN Kapazitive Gesamtladung: 40nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSM1265A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12.5A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSM1265A | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 12A SIC SBD |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FFSM1265A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FFSM1265A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FFSM1265A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FFSM1265A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12.5A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
товар відсутній |