FFSM1265A ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: QFN
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 175.62 грн |
| 500+ | 154.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM1265A ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: QFN, Kapazitive Gesamtladung: 40nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 4 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FFSM1265A за ціною від 111.50 грн до 440.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSM1265A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSM1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, QFN tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: QFN Kapazitive Gesamtladung: 40nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FFSM1265A | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD |
на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FFSM1265A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12.5A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FFSM1265A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FFSM1265A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FFSM1265A | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12.5A 4-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FFSM1265A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 12.5A 4PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12.5A Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |