FFSM2065B onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 459.67 грн |
| 10+ | 297.13 грн |
| 50+ | 234.84 грн |
| 100+ | 201.55 грн |
| 500+ | 186.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSM2065B onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Current - Average Rectified (Io): 23.4A, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-PowerTSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FFSM2065B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSM2065B | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 20A PQFM88 |
на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSM2065B | ONN |
|
на замовлення 1720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |