Продукція > ONSEMI > FFSM2065B
FFSM2065B

FFSM2065B onsemi

ffsm2065b-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+181.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM2065B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Current - Average Rectified (Io): 23.4A, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-PowerTSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FFSM2065B за ціною від 164.37 грн до 480.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSM2065B FFSM2065B onsemi ffsm2065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.11 грн
10+289.85 грн
100+209.57 грн
500+168.57 грн
1000+164.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065B FFSM2065B onsemi ffsm2065b-d.pdf SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 20A PQFM88
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.22 грн
10+299.09 грн
100+200.17 грн
500+184.66 грн
1000+173.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065B ONN ffsm2065b-d.pdf
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065B ffsm2065b-d.pdf
FFSM2065B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+459.11 грн
10+289.85 грн
100+209.57 грн
500+168.57 грн
1000+164.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065B ffsm2065b-d.pdf
FFSM2065B
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN1.5 650V 20A PQFM88
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+480.22 грн
10+299.09 грн
100+200.17 грн
500+184.66 грн
1000+173.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065B ffsm2065b-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.