Продукція > ONSEMI > FFSM2065B
FFSM2065B

FFSM2065B onsemi

ffsm2065b-d.pdf Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+190.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSM2065B onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 23.4A, Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSM2065B за ціною від 172.05 грн до 480.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSM2065B FFSM2065B Виробник : onsemi ffsm2065b-d.pdf SiC Schottky Diodes SIC SBD GEN15 650V 20A PQFM88
на замовлення 4401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.58 грн
10+335.31 грн
25+268.56 грн
100+211.01 грн
500+200.27 грн
1000+193.36 грн
3000+178.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSM2065B FFSM2065B Виробник : onsemi ffsm2065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 23.4A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 23.4A
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 7910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.58 грн
10+303.40 грн
100+219.37 грн
500+176.45 грн
1000+172.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.