FFSP0665A ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 114.55 грн |
| 10+ | 112.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP0665A ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8.8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSP0665A за ціною від 127.62 грн до 287.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSP0665A | ON Semiconductor |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FFSP0665A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 8.8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FFSP0665A | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 6A 650V |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
FFSP0665A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP0665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 22 nC, TO-220 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 22 Diodenmontage: Durchsteckmontage Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
FFSP0665A | ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FFSP0665A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSP0665A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 227.96 грн |
| 10+ | 210.46 грн |
| FFSP0665A |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8.8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8.8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 287.02 грн |
| 50+ | 140.77 грн |
| 100+ | 127.62 грн |
| FFSP0665A |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 6A 650V
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 6A 650V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSP0665A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP0665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 22 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FFSP0665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 22 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSP0665A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 8.8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FFSP0665A |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)