FFSP0665A onsemi


ffsp0665a-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 6A 650V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+276.44 грн
10+133.08 грн
100+108.83 грн
500+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSP0665A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8.8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSP0665A за ціною від 126.45 грн до 284.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSP0665A FFSP0665A onsemi ffsp0665a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8.8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.39 грн
50+139.48 грн
100+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665A ON Semiconductor ffsp0665a-d.pdf
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665A ffsp0665a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 8.8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8.8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+284.39 грн
50+139.48 грн
100+126.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP0665A ffsp0665a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.