| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 418.25 грн |
| 10+ | 262.79 грн |
| 100+ | 210.35 грн |
| 500+ | 199.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP08120A onsemi / Fairchild
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції FFSP08120A за ціною від 198.47 грн до 503.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSP08120A | Виробник : onsemi |
 SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A |
на замовлення 764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FFSP08120A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FFSP08120A | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |