| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 417.92 грн |
| 10+ | 262.59 грн |
| 100+ | 210.18 грн |
| 500+ | 199.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP08120A onsemi / Fairchild
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції FFSP08120A за ціною від 190.53 грн до 531.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSP08120A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FFSP08120A | onsemi |
SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| FFSP08120A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSP08120A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 509.83 грн |
| 50+ | 263.52 грн |
| 100+ | 241.52 грн |
| 500+ | 190.53 грн |
| FFSP08120A |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 531.16 грн |
| 10+ | 281.06 грн |
| 100+ | 223.45 грн |
| 500+ | 200.41 грн |
| FFSP08120A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



