FFSP08120A onsemi / Fairchild


FFSP08120A_D-2313353.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+417.92 грн
10+262.59 грн
100+210.18 грн
500+199.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSP08120A onsemi / Fairchild

Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції FFSP08120A за ціною від 190.53 грн до 531.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSP08120A FFSP08120A onsemi ffsp08120a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.83 грн
50+263.52 грн
100+241.52 грн
500+190.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120A FFSP08120A onsemi ffsp08120a-d.pdf SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.16 грн
10+281.06 грн
100+223.45 грн
500+200.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120A ON Semiconductor ffsp08120a-d.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120A ffsp08120a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 8A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 538pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+509.83 грн
50+263.52 грн
100+241.52 грн
500+190.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120A ffsp08120a-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 1200V SiC SBD 8A
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+531.16 грн
10+281.06 грн
100+223.45 грн
500+200.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP08120A ffsp08120a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.