FFSP0865A ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 13A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 13A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.14 грн |
| 3+ | 204.63 грн |
| 10+ | 176.96 грн |
| 15+ | 166.89 грн |
| 30+ | 161.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP0865A ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 27nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FFSP0865A за ціною від 96.02 грн до 329.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP0865A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 13A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 66355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FFSP0865A | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 8A 650V |
на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
FFSP0865A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 27nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSP0865A |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 66355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 329.20 грн |
| 10+ | 209.23 грн |
| 100+ | 148.27 грн |
| 800+ | 109.27 грн |
| 1600+ | 102.30 грн |
| 2400+ | 98.75 грн |
| 5600+ | 96.02 грн |
| FFSP0865A |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 8A 650V
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 8A 650V
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSP0865A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSP0865A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 8 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)