| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 493.68 грн |
| 10+ | 453.70 грн |
| 25+ | 220.66 грн |
| 100+ | 215.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP10120A onsemi / Fairchild
Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220L, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2L, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FFSP10120A за ціною від 191.28 грн до 522.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP10120A | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220LCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2L Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 13629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FFSP10120A | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes TranSic_HV |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FFSP10120A | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 755 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |