FFSP1065A onsemi


ffsp1065a-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 10A 650V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.02 грн
10+175.06 грн
100+143.15 грн
500+139.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSP1065A onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSP1065A за ціною від 130.18 грн до 388.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSP1065A FFSP1065A onsemi ffsp1065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.85 грн
50+195.92 грн
100+178.65 грн
500+139.29 грн
1000+130.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ON Semiconductor ffsp1065a-d.pdf
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ffsp1065a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+388.85 грн
50+195.92 грн
100+178.65 грн
500+139.29 грн
1000+130.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065A ffsp1065a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.