Технічний опис FFSP1065A ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSP1065A за ціною від 127.55 грн до 381.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP1065A | ON Semiconductor |
 Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FFSP1065A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FFSP1065A | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 10A 650V |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP1065A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSP1065A |
|
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 267.33 грн |
| 10+ | 237.41 грн |
| FFSP1065A |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 575pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 381.02 грн |
| 50+ | 191.98 грн |
| 100+ | 175.05 грн |
| 500+ | 136.48 грн |
| 1000+ | 127.55 грн |
| FFSP1065A |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 10A 650V
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 10A 650V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSP1065A |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)