Продукція > ONSEMI > FFSP1065B-F085
FFSP1065B-F085

FFSP1065B-F085 onsemi

ffsp1065b-f085-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+277.24 грн
10+188.53 грн
100+119.85 грн
250+119.16 грн
500+103.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSP1065B-F085 onsemi

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FFSP1065B-F085 за ціною від 130.14 грн до 290.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085 onsemi ffsp1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.59 грн
10+184.24 грн
100+130.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ON Semiconductor ffsp1065b-f085-d.pdf
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
FFSP1065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+290.59 грн
10+184.24 грн
100+130.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.