на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 233.66 грн |
| 10+ | 193.47 грн |
| 100+ | 136.19 грн |
| 250+ | 128.85 грн |
| 500+ | 120.84 грн |
| 800+ | 103.48 грн |
| 2400+ | 97.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP1065B-F085 onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSP1065B-F085 за ціною від 129.92 грн до 295.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP1065B-F085 | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FFSP1065B-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FFSP1065B-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |