Технічний опис FFSP1265A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FFSP1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 40nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FFSP1265A за ціною від 133.19 грн до 373.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSP1265A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FFSP1265A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FFSP1265A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FFSP1265A | ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FFSP1265A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 40nC euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FFSP1265A | onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FFSP1265A | onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2LPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FFSP1265A | ON Semiconductor |
|
на замовлення 678 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSP1265A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 72+ | 197.73 грн |
| FFSP1265A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 229.83 грн |
| FFSP1265A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 229.83 грн |
| 500+ | 218.05 грн |
| 1000+ | 205.08 грн |
| FFSP1265A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 229.83 грн |
| 500+ | 218.05 грн |
| 1000+ | 205.08 грн |
| FFSP1265A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - FFSP1265A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 12 A, 40 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 246.71 грн |
| 10+ | 166.35 грн |
| 100+ | 158.31 грн |
| FFSP1265A |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
SiC Schottky Diodes 650V 12A SIC SBD
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.75 грн |
| 10+ | 196.45 грн |
| 100+ | 146.72 грн |
| 500+ | 133.63 грн |
| FFSP1265A |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 665pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 373.51 грн |
| 50+ | 187.67 грн |
| 100+ | 171.05 грн |
| 500+ | 133.19 грн |
| FFSP1265A |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





