FFSP2065A ON Semiconductor


ffsp2065a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Diode Schottky SiC 650V 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+332.81 грн
500+315.17 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSP2065A ON Semiconductor

Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 25A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції FFSP2065A за ціною від 192.44 грн до 621.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSP2065A FFSP2065A onsemi ffsp2065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 43734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.63 грн
10+335.75 грн
50+266.42 грн
100+229.09 грн
500+192.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A FFSP2065A onsemi ffsp2065a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 43923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.85 грн
50+328.96 грн
100+328.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A FFSP2065A onsemi ffsp2065a-d.pdf SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 20A 650V
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A FFSP2065A ONSEMI 2571954.pdf Description: ONSEMI - FFSP2065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 64
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A ON Semiconductor ffsp2065a-d.pdf
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A ffsp2065a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 43734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+516.63 грн
10+335.75 грн
50+266.42 грн
100+229.09 грн
500+192.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A ffsp2065a-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 25A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1085pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 43923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+621.85 грн
50+328.96 грн
100+328.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A ffsp2065a-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC TO220 SBD 20A 650V
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A 2571954.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP2065A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 64 nC, TO-220
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 64
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP2065A ffsp2065a-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.