на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 333.93 грн |
| 10+ | 229.57 грн |
| 100+ | 146.05 грн |
| 500+ | 129.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP2065B onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 22.5A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSP2065B за ціною від 163.17 грн до 370.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP2065B | Виробник : onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 22.5A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FFSP2065B | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| FFSP2065B | Виробник : ONSEMI |
FFSP2065B THT Schottky diodes |
товару немає в наявності |