FFSP2065B onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 22.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 361.32 грн |
| 10+ | 230.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP2065B onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 22.5A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Інші пропозиції FFSP2065B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSP2065B | onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 20A |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSP2065B | ON Semiconductor |
|
на замовлення 680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |


