FFSP2065BDN-F085 onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 537.86 грн |
| 50+ | 279.70 грн |
| 100+ | 256.74 грн |
| 500+ | 204.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP2065BDN-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSP2065BDN-F085 за ціною від 228.84 грн до 618.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FFSP2065BDN-F085 | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN.15 |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nCtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Max. forward voltage: 1.7V Kind of package: tube Application: automotive industry |
товару немає в наявності |

