FFSP2065BDN-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 447.72 грн |
| 10+ | 283.29 грн |
| 100+ | 267.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP2065BDN-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP2065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 25 nC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 25nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSP2065BDN-F085 за ціною від 198.80 грн до 536.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP2065BDN-F085 | Виробник : onsemi |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FFSP2065BDN-F085 | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes 650V 20A SIC SBD GEN.15 |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Kind of package: tube Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FFSP2065BDN-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AB; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO220AB Kind of package: tube Application: automotive industry |
товару немає в наявності |