FFSP3065B-F085 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 442.18 грн |
| 100+ | 419.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP3065B-F085 ON Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FFSP3065B-F085 за ціною від 233.63 грн до 610.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FFSP3065B-F085 | onsemi |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 83968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FFSP3065B-F085 | onsemi |
SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FFSP3065B-F085 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FFSP3065B-F085 |
|
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 83968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 610.01 грн |
| 10+ | 400.05 грн |
| 50+ | 319.86 грн |
| 100+ | 275.98 грн |
| 500+ | 233.63 грн |
| FFSP3065B-F085 |
|
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
SiC Schottky Diodes Auto SiC Schottky Diode, 650 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FFSP3065B-F085 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)