Продукція > ONSEMI > FFSP3065B
FFSP3065B

FFSP3065B ONSEMI

ffsp3065b-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Kind of package: tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+456.77 грн
3+372.26 грн
5+340.14 грн
10+302.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSP3065B ONSEMI

Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 74nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FFSP3065B за ціною від 203.96 грн до 541.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSP3065B FFSP3065B onsemi ffsp3065b-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.89 грн
50+281.09 грн
100+257.91 грн
500+203.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B FFSP3065B onsemi ffsp3065b-d.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 30A
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B FFSP3065B ONSEMI ONSM-S-A0017604356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B ffsp3065b-d.pdf
FFSP3065B
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+541.89 грн
50+281.09 грн
100+257.91 грн
500+203.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B ffsp3065b-d.pdf
FFSP3065B
Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 30A
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP3065B ONSM-S-A0017604356-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FFSP3065B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.