FFSP3065B onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.99 грн |
| 50+ | 274.02 грн |
| 100+ | 251.42 грн |
| 500+ | 199.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP3065B onsemi
Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 74nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FFSP3065B за ціною від 211.36 грн до 566.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FFSP3065B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 74nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FFSP3065B | Виробник : onsemi |
SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 30A |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FFSP3065B | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
FFSP3065B | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
FFSP3065B | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Schottky SiC 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FFSP3065B | Виробник : ONSEMI |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; tube Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: SiC Max. forward voltage: 1.7V Type of diode: Schottky rectifying Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V |
товару немає в наявності |

