 
FFSP3065B ONSEMI
 Виробник: ONSEMI
                                                Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 74nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 541.43 грн | 
| 5+ | 523.44 грн | 
| 10+ | 504.59 грн | 
| 50+ | 419.23 грн | 
| 100+ | 340.72 грн | 
| 250+ | 295.19 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FFSP3065B ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSP3065B - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 30 A, 74 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 74nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції FFSP3065B за ціною від 229.10 грн до 581.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FFSP3065B | Виробник : onsemi |  Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1280pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V | на замовлення 461 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | FFSP3065B | Виробник : onsemi |  SiC Schottky Diodes SIC DIODE 650V 30A | на замовлення 384 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
| FFSP3065B | Виробник : ON Semiconductor |  Rectifier Diode Schottky SiC 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | ||||||||||||||
|   | FFSP3065B | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Schottky SiC 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | FFSP3065B | Виробник : ON Semiconductor |  Diode Schottky SiC 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||
| FFSP3065B | Виробник : ONSEMI |  Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO220-2; tube Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A | товару немає в наявності |