Продукція > ONSEMI > FFSP4065BDN-F085
FFSP4065BDN-F085

FFSP4065BDN-F085 onsemi


FFSP4065BDN-F085-D.PDF Виробник: onsemi
SiC Schottky Diodes 650V 40A SIC SBD GEN.15
на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+707.82 грн
10+455.52 грн
100+351.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FFSP4065BDN-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FFSP4065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 40 A, 51 nC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 51nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FFSP4065BDN-F085 за ціною від 353.82 грн до 759.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FFSP4065BDN-F085 FFSP4065BDN-F085 Виробник : onsemi ffsp4065bdn-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+732.77 грн
10+604.97 грн
100+504.14 грн
800+417.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP4065BDN-F085 FFSP4065BDN-F085 Виробник : ONSEMI ffsp4065bdn-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FFSP4065BDN-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 40 A, 51 nC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+759.06 грн
5+635.39 грн
10+510.87 грн
50+433.20 грн
100+361.13 грн
250+353.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP4065BDN-F085 FFSP4065BDN-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsp4065bdn-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP4065BDN-F085 FFSP4065BDN-F085 Виробник : ON Semiconductor ffsp4065bdn-f085-d.pdf Diode Schottky SiC 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.