на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.38 грн |
| 10+ | 153.98 грн |
| 25+ | 126.54 грн |
| 100+ | 107.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA15S125P onsemi / Fairchild
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench, Gate Charge: 129 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 136 W.
Інші пропозиції FGA15S125P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA15S125P | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1250V 30A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FGA15S125P | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Gate Charge: 129 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 136 W |
товару немає в наявності |
|
 |
FGA15S125P | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH 1250V 30A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.72V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Gate Charge: 129 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 136 W |
товару немає в наявності |