FGA25N120ANTDTU-F109 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU-F109 - IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA25N120ANTDTU-F109 ONSEMI
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.
Інші пропозиції FGA25N120ANTDTU-F109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FGA25N120ANTDTU-F109 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGA25N120ANTDTU-F109 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)