Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109

FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi / Fairchild


FGA25N120ANTDTU_D-1809309.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs Copak Discrete
на замовлення 1280 шт:

термін постачання 1109-1118 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.85 грн
10+261.42 грн
25+214.82 грн
100+183.92 грн
250+173.62 грн
450+163.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi / Fairchild

Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 350 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: NPT and Trench, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns, Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.

Інші пропозиції FGA25N120ANTDTU-F109 за ціною від 180.74 грн до 334.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU-F109 Виробник : ONSEMI 2907302.pdf Description: ONSEMI - FGA25N120ANTDTU-F109 - IGBT, NPT-Trench, 50 A, 2.65 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.24 грн
10+236.86 грн
100+180.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGA25N120ANTDTU-F109 Виробник : ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU-F109 Виробник : ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU-F109 Виробник : ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU-F109 Виробник : onsemi fga25n120antdtu-d.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 350 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/190ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.