FGA25S125P-SN00337 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/502ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 204 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA25S125P-SN00337 Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/502ns, Switching Energy: 1.09mJ (on), 580µJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 204 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1250 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції FGA25S125P-SN00337
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FGA25S125P-SN00337 | onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGA25S125P-SN00337 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V
IGBT Transistors SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


