Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGA30N60LSDTU
FGA30N60LSDTU

FGA30N60LSDTU ON Semiconductor

fga30n60lsd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+95.6 грн
10+ 93.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA30N60LSDTU ON Semiconductor

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3P, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V, Gate Charge: 225 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 480 W.

Інші пропозиції FGA30N60LSDTU за ціною від 149.55 грн до 355.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
104+196.09 грн
Мінімальне замовлення: 104
FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU Виробник : onsemi / Fairchild FGA30N60LSD-1305961.pdf IGBT Transistors 30A 600V N-Ch Planar
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+355.17 грн
10+ 314.78 грн
100+ 230.33 грн
450+ 195.61 грн
900+ 153.55 грн
2700+ 151.55 грн
5400+ 149.55 грн
FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU Виробник : ON Semiconductor fga30n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGA30N60LSDTU Виробник : ONSEMI FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FGA30N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+186.48 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGA30N60LSDTU FGA30N60LSDTU Виробник : ON Semiconductor fga30n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FGA30N60LSDTU Виробник : ON Semiconductor fga30n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 480000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній