Технічний опис FGA30N65SMD onsemi / Fairchild
Description: IGBT FIELD STOP 650V 60A TO-3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 14ns/102ns, Switching Energy: 716µJ (on), 208µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції FGA30N65SMD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FGA30N65SMD | ON Semiconductor |
|
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGA30N65SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


