FGA30S120P ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Verlustleistung: 348W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA30S120P ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA30S120P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 348 W, 1.3 kV, TO-3PN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Verlustleistung: 348W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-3PN, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FGA30S120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA30S120P | onsemi |
IGBTs Shorted AnodeTM IGBT |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGA30S120P | ONN |
|
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGA30S120P |
|
Виробник: onsemi
IGBTs Shorted AnodeTM IGBT
IGBTs Shorted AnodeTM IGBT
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FGA30S120P |
|
Виробник: ONN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)