Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGA40N65SMD
FGA40N65SMD

FGA40N65SMD ON Semiconductor

fga40n65smd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 27650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+217.06 грн
500+207.93 грн
1000+196.77 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA40N65SMD ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 349 W.

Інші пропозиції FGA40N65SMD за ціною від 148.98 грн до 407.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGA40N65SMD FGA40N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+217.06 грн
500+207.93 грн
1000+196.77 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD Виробник : onsemi / Fairchild fga40n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.17 грн
10+297.09 грн
30+214.30 грн
120+176.87 грн
270+176.14 грн
510+160.73 грн
1020+148.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD Виробник : onsemi fga40n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.33 грн
30+216.15 грн
120+179.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD Виробник : ONSEMI 2907304.pdf Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+407.53 грн
10+376.25 грн
100+223.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A
Код товару: 112251
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga40n65smd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD Виробник : ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD Виробник : ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD Виробник : TE Connectivity fga40n65smd-d.pdf Array
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD Виробник : ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.