FGA40N65SMD ON Semiconductor
на замовлення 48800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 147+ | 211.45 грн |
| 500+ | 200.10 грн |
| 1000+ | 189.79 грн |
| 10000+ | 172.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA40N65SMD ON Semiconductor
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 349 W.
Інші пропозиції FGA40N65SMD за ціною від 131.49 грн до 413.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGA40N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 18450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGA40N65SMD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 119 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 349 W |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGA40N65SMD | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGA40N65SMD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-3PN Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A Код товару: 112251
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
FGA40N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FGA40N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FGA40N65SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 174W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 119nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |