Продукція > Транзистори > IGBT > FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A
FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A

FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A

Код товару: 112251
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A за ціною від 163.94 грн до 365.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGA40N65SMD FGA40N65SMD ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 48800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.08 грн
500+228.14 грн
1000+216.38 грн
10000+196.18 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.08 грн
500+228.14 грн
1000+216.38 грн
10000+196.18 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD ON Semiconductor fga40n65smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.08 грн
500+228.14 грн
1000+216.38 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD onsemi fga40n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.23 грн
30+197.76 грн
120+163.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD ONSEMI 2907304.pdf Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD FGA40N65SMD onsemi fga40n65smd-d.pdf IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD ONSEMI fga40n65smd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+364.06 грн
10+211.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
FGA40N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 48800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+241.08 грн
500+228.14 грн
1000+216.38 грн
10000+196.18 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
FGA40N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 18450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+241.08 грн
500+228.14 грн
1000+216.38 грн
10000+196.18 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
FGA40N65SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+241.08 грн
500+228.14 грн
1000+216.38 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
FGA40N65SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.23 грн
30+197.76 грн
120+163.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD 2907304.pdf
FGA40N65SMD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Verlustleistung: 349W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-3PN
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
FGA40N65SMD
Виробник: onsemi
IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 174W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 119nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+364.06 грн
10+211.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.