Технічний опис FGA40S65SH ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN, Power - Max: 268 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Gate Charge: 73 nC, Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Switching Energy: 194µJ (on), 388µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/68.8ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FGA40S65SH за ціною від 203.90 грн до 212.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGA40S65SH | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FGA40S65SH | ON Semiconductor / Fairchild |
IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGA40S65SH |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 212.15 грн |
| 500+ | 203.90 грн |
| FGA40S65SH |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



