FGA40T65SHD ON Semiconductor
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 171+ | 178.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA40T65SHD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns, Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 72.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGA40T65SHD за ціною від 133.89 грн до 327.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGA40T65SHD | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA40T65SHD | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA40T65SHD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 72.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA40T65SHD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGA40T65SHD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGA40T65SHD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FGA40T65SHD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 72.2nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FGA40T65SHD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO3P Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 72.2nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |