Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGA40T65SHD
FGA40T65SHD

FGA40T65SHD ON Semiconductor

fga40t65shd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+172.25 грн
500+162.97 грн
1000+154.72 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA40T65SHD ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns, Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 72.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 268 W.

Інші пропозиції FGA40T65SHD за ціною від 124.56 грн до 354.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGA40T65SHD FGA40T65SHD Виробник : ON Semiconductor fga40t65shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD Виробник : onsemi fga40t65shd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.45 грн
10+208.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD Виробник : onsemi / Fairchild FGA40T65SHD-D.PDF IGBTs IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.05 грн
10+231.79 грн
120+124.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD Виробник : ON Semiconductor 3674225740811306fga40t65shd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD Виробник : ON Semiconductor fga40t65shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD Виробник : ON Semiconductor fga40t65shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD Виробник : ONSEMI fga40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.