FGA40T65SHD ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 263.41 грн |
| 10+ | 173.15 грн |
| 30+ | 145.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA40T65SHD ONSEMI
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Case: TO3P, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 134W, Pulsed collector current: 120A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 72.2nC.
Інші пропозиції FGA40T65SHD за ціною від 116.61 грн до 327.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA40T65SHD | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FGA40T65SHD | onsemi |
IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FGA40T65SHD |
|
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 315.01 грн |
| 10+ | 200.54 грн |
| FGA40T65SHD |
|
Виробник: onsemi
IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 327.49 грн |
| 10+ | 214.41 грн |
| 120+ | 116.61 грн |