Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGA40T65SHD
FGA40T65SHD

FGA40T65SHD ON Semiconductor

fga40t65shd-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+195.52 грн
500+184.98 грн
1000+175.61 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA40T65SHD ON Semiconductor

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Case: TO3P, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Power dissipation: 134W, Pulsed collector current: 120A, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate charge: 72.2nC.

Інші пропозиції FGA40T65SHD за ціною від 142.48 грн до 308.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGA40T65SHD FGA40T65SHD ON Semiconductor fga40t65shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+195.52 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD ONSEMI fga40t65shd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.10 грн
10+169.66 грн
30+142.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD onsemi fga40t65shd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.66 грн
10+196.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD FGA40T65SHD onsemi fga40t65shd-d.pdf IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
FGA40T65SHD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+195.52 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
FGA40T65SHD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 120A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 72.2nC
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.10 грн
10+169.66 грн
30+142.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
FGA40T65SHD
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PN
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+308.66 грн
10+196.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA40T65SHD fga40t65shd-d.pdf
FGA40T65SHD
Виробник: onsemi
IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.