| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 409.67 грн |
| 10+ | 362.96 грн |
| 100+ | 264.76 грн |
| 250+ | 220.16 грн |
| 450+ | 210.41 грн |
| 900+ | 198.57 грн |
| 2700+ | 196.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA5065ADF onsemi / Fairchild
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk, Power - Max: 268 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Part Status: Active, Gate Charge: 72.2 nC, Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V.
Інші пропозиції FGA5065ADF за ціною від 198.81 грн до 198.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FGA5065ADF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOSwitching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-3PN Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk Power - Max: 268 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Part Status: Active Gate Charge: 72.2 nC Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FGA5065ADF | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
FGA5065ADF | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PNPower - Max: 268 W Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Gate Charge: 72.2 nC Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Switching Energy: 1.35mJ (on), 309µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/62.4ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: TO-3PN Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |

