FGA50S110P

FGA50S110P Fairchild Semiconductor


ONSM-S-A0003590120-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 195 nC
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
181+121.33 грн
Мінімальне замовлення: 181
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA50S110P Fairchild Semiconductor

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Power - Max: 300 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Gate Charge: 195 nC, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FGA50S110P за ціною від 123.32 грн до 251.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGA50S110P FGA50S110P Виробник : onsemi / Fairchild FGA50S110P_D-1809251.pdf IGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.17 грн
10+222.74 грн
100+162.34 грн
450+143.53 грн
900+130.29 грн
2700+127.50 грн
5400+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGA50S110P FGA50S110P Виробник : onsemi fga50s110p-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 195 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.