FGA50S110P Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 195 nC
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA50S110P Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Power - Max: 300 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Gate Charge: 195 nC, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FGA50S110P за ціною від 131.54 грн до 162.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGA50S110P | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGA50S110P | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FGA50S110P | onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FGA50S110P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA50S110P - IGBT, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| FGA50S110P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 162.29 грн |
| 500+ | 154.06 грн |
| 1000+ | 144.65 грн |
| 10000+ | 131.54 грн |
| FGA50S110P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 162.29 грн |
| FGA50S110P |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
IGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FGA50S110P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA50S110P - IGBT, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FGA50S110P - IGBT, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



