Інші пропозиції FGA50T65SHD IGBT-транзистор за ціною від 203.44 грн до 396.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGA50T65SHD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 47150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGA50T65SHD | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PNPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 319 W |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FGA50T65SHD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 319W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 47150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 141+ | 251.05 грн |
| 500+ | 238.08 грн |
| 1000+ | 223.94 грн |
| 10000+ | 203.44 грн |
| FGA50T65SHD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319 W
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 396.61 грн |




