Технічний опис FGA6065ADF ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN, Power - Max: 306 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 84 nC, Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-3PN, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції FGA6065ADF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA6065ADF | ON Semiconductor / Fairchild |
 IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FGA6065ADF | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| FGA6065ADF |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FGA6065ADF |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)