FGA6560WDF onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA6560WDF onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns, Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 306 W.
Інші пропозиції FGA6560WDF за ціною від 228.44 грн до 280.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA6560WDF | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 25200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FGA6560WDF | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGA6560WDF | onsemi / Fairchild |
IGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGA6560WDF |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 280.51 грн |
| 500+ | 266.37 грн |
| 1000+ | 251.05 грн |
| 10000+ | 228.44 грн |
| FGA6560WDF |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 127+ | 280.51 грн |
| 500+ | 266.37 грн |
| 1000+ | 251.05 грн |
| FGA6560WDF |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
IGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)