Продукція > ONSEMI > FGA6560WDF
FGA6560WDF

FGA6560WDF onsemi

FGA6560WDF-D.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 26790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA6560WDF onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns, Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 306 W.

Інші пропозиції FGA6560WDF за ціною від 168.63 грн до 412.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGA6560WDF FGA6560WDF Виробник : ON Semiconductor fga6560wdf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+241.99 грн
500+229.79 грн
1000+216.57 грн
10000+197.07 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDF FGA6560WDF Виробник : ON Semiconductor fga6560wdf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+241.99 грн
500+229.79 грн
1000+216.57 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDF FGA6560WDF Виробник : onsemi / Fairchild FGA6560WDF_D-1809371.pdf IGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.78 грн
10+335.90 грн
100+236.38 грн
450+209.28 грн
900+179.16 грн
2700+168.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDF Виробник : ONSEMI FGA6560WDF-D.pdf FGA6560WDF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA6560WDF FGA6560WDF Виробник : onsemi FGA6560WDF-D.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.