FGA6560WDF onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 26790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 115+ | 184.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA6560WDF onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns, Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 84 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 306 W.
Інші пропозиції FGA6560WDF за ціною від 171.47 грн до 419.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA6560WDF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 25200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGA6560WDF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGA6560WDF | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs IGBT, 650 V, 60 A Field Stop Trench |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGA6560WDF | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 84 nC Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 306 W |
товару немає в наявності |