Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FGA90N30DTU
FGA90N30DTU

FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor

FAIRS25259-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 90A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Gate Charge: 87 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 219 W
на замовлення 70390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+156.18 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - FGA90N30DTU - IGBT, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85423990, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 219W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FGA90N30DTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGA90N30DTU FGA90N30DTU ONSEMI 59632.pdf Description: ONSEMI - FGA90N30DTU - IGBT, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA90N30DTU 59632.pdf
FGA90N30DTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA90N30DTU - IGBT, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.