FGAF40N60UFDTU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 107+ | 198.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGAF40N60UFDTU Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 40A TO-3PF, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3PF, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns, Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 77 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції FGAF40N60UFDTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FGAF40N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 10800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
FGAF40N60UFDTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
FGAF40N60UFDTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors Ultrafast |
товару немає в наявності |
|
| FGAF40N60UFDTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF Type of transistor: IGBT Power dissipation: 40W Case: TO3PF Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |