FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 173+ | 121.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGAF40N60UFTU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FGAF40N60UFTU за ціною від 114.49 грн до 360.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGAF40N60UFTU | Виробник : onsemi |
 Description: IGBT 600V 40A TO-3PFPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-3PF Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 77 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 100 W |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGAF40N60UFTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGAF40N60UFTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 40A/600V/ IGBT |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FGAF40N60UFTU | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FGAF40N60UFTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FGAF40N60UFTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF Type of transistor: IGBT Power dissipation: 40W Case: TO3PF Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 20A Pulsed collector current: 160A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FGAF40N60UFTU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF Type of transistor: IGBT Power dissipation: 40W Case: TO3PF Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Collector current: 20A Pulsed collector current: 160A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
товару немає в наявності |