Продукція > ONSEMI > FGAF40N60UFTU
FGAF40N60UFTU

FGAF40N60UFTU onsemi

fgaf40n60uf-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 470µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 77 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.28 грн
30+171.30 грн
120+140.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGAF40N60UFTU onsemi

Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FGAF40N60UFTU за ціною від 119.42 грн до 369.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU Виробник : onsemi / Fairchild FGAF40N60UF-D.pdf IGBTs 40A/600V/ IGBT
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+343.83 грн
10+188.39 грн
120+133.96 грн
1020+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU Виробник : ONSEMI FAIRS46118-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGAF40N60UFTU - IGBT, Universal, 40 A, 6.5 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 6.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+369.25 грн
10+188.06 грн
100+172.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU Виробник : ON Semiconductor fgaf40n60uf-d.pdf
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU Виробник : ON Semiconductor 3658713940269190fgaf40n60uf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGAF40N60UFTU Виробник : ONSEMI fgaf40n60uf-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.