Продукція > ONSEMI > FGB20N60SFD-F085
FGB20N60SFD-F085

FGB20N60SFD-F085 ONSEMI

fgb20n60s_f085-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB20N60SFD-F085 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+164.46 грн
500+146.60 грн
1000+128.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGB20N60SFD-F085 ONSEMI

Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 111 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns, Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 208 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FGB20N60SFD-F085 за ціною від 124.75 грн до 366.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 ONSEMI fgb20n60s_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FGB20N60SFD-F085 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.01 грн
10+230.24 грн
100+164.46 грн
500+146.60 грн
1000+128.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.85 грн
10+225.10 грн
100+160.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 FGB20N60SFD-F085 onsemi fgb20n60s_f085-d.pdf IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.74 грн
10+240.73 грн
100+148.72 грн
500+124.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB20N60SFD-F085 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+347.01 грн
10+230.24 грн
100+164.46 грн
500+146.60 грн
1000+128.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 111 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns
Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 63 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 208 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+352.85 грн
10+225.10 грн
100+160.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB20N60SFD-F085 fgb20n60s_f085-d.pdf
FGB20N60SFD-F085
Виробник: onsemi
IGBTs 600V 20A FSP IGBT
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+366.74 грн
10+240.73 грн
100+148.72 грн
500+124.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.