FGB20N60SFD-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGB20N60SFD-F085 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 172.89 грн |
| 500+ | 159.01 грн |
| 1000+ | 119.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGB20N60SFD-F085 ONSEMI
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 111 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns, Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 63 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 208 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FGB20N60SFD-F085 за ціною від 119.26 грн до 358.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGB20N60SFD-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGB20N60SFD-F085 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 208 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FGB20N60SFD-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs 600V 20A FSP IGBT |
на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FGB20N60SFD-F085 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 111 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 208 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FGB20N60SFD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 208000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FGB20N60SFD-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 208W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FGB20N60SFD-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Power dissipation: 83W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 63nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Application: ignition systems Pulsed collector current: 60A Collector current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
FGB20N60SFD-F085 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 111 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 10ns/90ns Switching Energy: 310µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 63 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 208 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FGB20N60SFD-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 83W; D2PAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Power dissipation: 83W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 63nC Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Application: ignition systems Pulsed collector current: 60A Collector current: 20A |
товару немає в наявності |