
FGB3040G2-F085 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 134.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGB3040G2-F085 ON Semiconductor
Description: IGBT 400V 41A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs, Gate Charge: 21 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 150 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FGB3040G2-F085 за ціною від 113.24 грн до 356.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGB3040G2-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs Gate Charge: 21 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGB3040G2-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGB3040G2-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 25.6A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGB3040G2-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 25.6A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGB3040G2-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs Gate Charge: 21 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGB3040G2-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FGB3040G2-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FGB3040G2-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |