Продукція > ONSEMI > FGB3040G2-F085C
FGB3040G2-F085C

FGB3040G2-F085C onsemi

fgx3040g2-f085c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 400V 41A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs
Test Condition: 5V, 470Ohm
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGB3040G2-F085C onsemi

Description: IGBT 400V 41A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs, Test Condition: 5V, 470Ohm, Gate Charge: 21 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 150 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FGB3040G2-F085C за ціною від 89.52 грн до 287.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGB3040G2-F085C FGB3040G2-F085C Виробник : ON Semiconductor fgx3040g2f085cd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+108.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C FGB3040G2-F085C Виробник : ON Semiconductor fgx3040g2f085cd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C FGB3040G2-F085C Виробник : ON Semiconductor fgx3040g2f085cd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
188+161.50 грн
500+145.35 грн
1000+134.25 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C FGB3040G2-F085C Виробник : onsemi fgx3040g2-f085c-d.pdf IGBTs ECOSPARK2 IGN-IGBT
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.62 грн
10+179.50 грн
100+109.42 грн
500+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C FGB3040G2-F085C Виробник : onsemi fgx3040g2-f085c-d.pdf Description: IGBT 400V 41A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 µs
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.8µs
Test Condition: 5V, 470Ohm
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.20 грн
10+180.69 грн
100+126.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C FGB3040G2-F085C Виробник : ON Semiconductor fgx3040g2-f085c-d.pdf IGBT Chip Transistor, 400V, 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C FGB3040G2-F085C Виробник : ON Semiconductor fgx3040g2f085cd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C Виробник : ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB3040G2-F085C Виробник : ONSEMI fgx3040g2-f085c-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 25.6A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.