Продукція > ONSEMI > FGB40T65SPD-F085
FGB40T65SPD-F085

FGB40T65SPD-F085 ONSEMI

fgb40t65spd-f085-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB40T65SPD-F085 - IGBT, n-Kanal, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+148.31 грн
1000+129.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGB40T65SPD-F085 ONSEMI

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns, Switching Energy: 970µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 36 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 267 W.

Інші пропозиції FGB40T65SPD-F085 за ціною від 140.43 грн до 444.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : onsemi fgb40t65spd-f085-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 970µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
на замовлення 44800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+173.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.98 грн
5+223.23 грн
12+211.76 грн
100+207.18 грн
250+203.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : ONSEMI fgb40t65spd-f085-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 134W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.98 грн
5+278.18 грн
12+254.12 грн
100+248.61 грн
250+244.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178368-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGB40T65SPD-F085 - IGBT, n-Kanal, 80 A, 2 V, 267 W, 650 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.78 грн
10+264.28 грн
100+205.00 грн
500+155.19 грн
1000+140.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : onsemi / Fairchild fgb40t65spd-f085-d.pdf IGBTs Trench IGBT
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.43 грн
10+283.58 грн
25+245.86 грн
100+188.61 грн
500+182.74 грн
800+171.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : onsemi fgb40t65spd-f085-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns
Switching Energy: 970µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 36 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 267 W
на замовлення 46121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.58 грн
10+286.68 грн
100+206.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : ON Semiconductor fgb40t65sp_f085.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : ON Semiconductor fgb40t65sp_f085.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB40T65SPD-F085 FGB40T65SPD-F085 Виробник : ON Semiconductor fgb40t65sp_f085.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.