Продукція > ONSEMI > FGB7N60UNDF
FGB7N60UNDF

FGB7N60UNDF onsemi

fgb7n60undf-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 600V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 5.9ns/32.3ns
Switching Energy: 99µJ (on), 104µJ (off)
Test Condition: 400V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGB7N60UNDF onsemi

Description: IGBT NPT 600V 14A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 32.3 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 5.9ns/32.3ns, Switching Energy: 99µJ (on), 104µJ (off), Test Condition: 400V, 7A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 18 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 14 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A, Power - Max: 83 W.

Інші пропозиції FGB7N60UNDF за ціною від 84.55 грн до 84.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGB7N60UNDF FGB7N60UNDF Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT NPT 600V 14A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 5.9ns/32.3ns
Switching Energy: 99µJ (on), 104µJ (off)
Test Condition: 400V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
285+84.55 грн
Мінімальне замовлення: 285
В кошику  од. на суму  грн.
FGB7N60UNDF FGB7N60UNDF Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FGB7N60UNDF-D-1808737.pdf IGBT Transistors 600V 7A NPT IGBT
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGB7N60UNDF FGB7N60UNDF Виробник : ON Semiconductor 3664088907631868fgb7n60undf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 83000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB7N60UNDF Виробник : ONSEMI fgb7n60undf-d.pdf FAIRS45703-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FGB7N60UNDF-ONS SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGB7N60UNDF FGB7N60UNDF Виробник : onsemi fgb7n60undf-d.pdf Description: IGBT NPT 600V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32.3 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 5.9ns/32.3ns
Switching Energy: 99µJ (on), 104µJ (off)
Test Condition: 400V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 83 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.