Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGD2736G3-F085V

FGD2736G3-F085V ON Semiconductor

Виробник: ON Semiconductor
N-Channel Ignition IGBT Chip

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FGD2736G3-F085V ON Semiconductor

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 360V; 24.3A; 150W; DPAK; Features: logic level, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 360V, Collector current: 24.3A, Power dissipation: 150W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: logic level, Application: ignition systems, Version: ESD, Gate-emitter voltage: ±10V.

Інші пропозиції FGD2736G3-F085V

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FGD2736G3-F085V	Виробник : onsemi	Description: IGBT ECOSPARK1 IGN TO252	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FGD2736G3-F085V	Виробник : onsemi	IGBT Transistors ECOSPARK1 IGN IGBT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
FGD2736G3-F085V	Виробник : ONSEMI	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 360V; 24.3A; 150W; DPAK; Features: logic level Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 360V Collector current: 24.3A Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD Gate-emitter voltage: ±10V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.