FGD3040G2-F085V onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT 400V 41A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/4.8µs
Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V
Gate Charge: 21 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 42.62 грн |
| 5000+ | 38.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGD3040G2-F085V onsemi
Description: IGBT 400V 41A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/4.8µs, Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V, Gate Charge: 21 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 150 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FGD3040G2-F085V за ціною від 38.12 грн до 239.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGD3040G2-F085V | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FGD3040G2-F085V | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FGD3040G2-F085V | Виробник : onsemi |
IGBTs Ignition IGBT, N-Channel Ignition, DPAK, 26A, 1.35V, 300mJ EcoSPARK2 |
на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FGD3040G2-F085V | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 400V 41A TO-252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/4.8µs Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V Gate Charge: 21 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FGD3040G2-F085V | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FGD3040G2-F085V | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FGD3040G2-F085V | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
FGD3040G2-F085V | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FGD3040G2-F085V | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FGD3040G2-F085V | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 400V 41A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| FGD3040G2-F085V | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; DPAK; Features: logic level Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: IGBT Application: ignition systems Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Gate-emitter voltage: ±10V Power dissipation: 150W Collector current: 25.6A Collector-emitter voltage: 400V Version: ESD |
товару немає в наявності |
