Продукція > ONSEMI > FGD3050G2
FGD3050G2

FGD3050G2 onsemi

fgd3050g2-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 500V 32A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 22 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.76 грн
10+146.98 грн
100+102.20 грн
500+82.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGD3050G2 onsemi

Description: IGBT 500V 32A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Gate Charge: 22 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 32 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V, Power - Max: 150 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FGD3050G2 за ціною від 77.25 грн до 254.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGD3050G2 FGD3050G2 Виробник : onsemi fgd3050g2-d.pdf IGBTs 500V 27A 1.3V 300mJ
на замовлення 11669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.06 грн
10+174.28 грн
100+105.94 грн
500+90.49 грн
1000+88.28 грн
2500+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 FGD3050G2 Виробник : onsemi fgd3050g2-d.pdf Description: IGBT 500V 32A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 22 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 Виробник : ON Semiconductor fgd3050g2-d.pdf
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 FGD3050G2 Виробник : ON Semiconductor fgd3050g2-d.pdf N-Channel Ignition IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 Виробник : ONSEMI fgd3050g2-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 500V; 27A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3050G2 Виробник : ONSEMI fgd3050g2-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 500V; 27A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 27A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±10V
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.