
FGD3245G2-F085C onsemi

Description: IGBT 450V 23A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/5.4µs
Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V
Gate Charge: 23 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 62.14 грн |
5000+ | 59.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGD3245G2-F085C onsemi
Description: IGBT 450V 23A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Logic, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/5.4µs, Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V, Gate Charge: 23 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 23 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V, Power - Max: 150 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FGD3245G2-F085C за ціною від 61.67 грн до 204.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FGD3245G2-F085C | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGD3245G2-F085C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Td (on/off) @ 25°C: 0.9µs/5.4µs Test Condition: 300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V Gate Charge: 23 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FGD3245G2-F085C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FGD3245G2-F085C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 23A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Application: ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
FGD3245G2-F085C | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 23A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Application: ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |