FGD3N60LSDTM ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 33.21 грн |
| 1000+ | 30.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGD3N60LSDTM ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FGD3N60LSDTM за ціною від 30.04 грн до 159.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGD3N60LSDTM | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 600V 6A TO-252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 234 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 40ns/600ns Switching Energy: 250µJ (on), 1mJ (off) Test Condition: 480V, 3A, 470Ohm, 10V Gate Charge: 12.5 nC Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 40 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGD3N60LSDTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGD3N60LSDTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGD3N60LSDTM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGD3N60LSDTM | Виробник : onsemi |
IGBTs 600V IGBT HID Application |
на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FGD3N60LSDTM |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
FGD3N60LSDTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGD3N60LSDTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |