Продукція > ONSEMI > FGD3N60LSDTM
FGD3N60LSDTM

FGD3N60LSDTM ONSEMI

2907308.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+32.06 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGD3N60LSDTM ONSEMI

Description: IGBT 600V 6A TO-252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 234 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, Supplier Device Package: TO-252AA, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/600ns, Switching Energy: 250µJ (on), 1mJ (off), Test Condition: 480V, 3A, 470Ohm, 10V, Gate Charge: 12.5 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A, Power - Max: 40 W.

Інші пропозиції FGD3N60LSDTM за ціною від 29.00 грн до 154.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : ON Semiconductor fgd3n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.22 грн
5000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : ON Semiconductor fgd3n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.66 грн
5000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : onsemi fgd3n60lsd-d.pdf Description: IGBT 600V 6A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 234 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/600ns
Switching Energy: 250µJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 470Ohm, 10V
Gate Charge: 12.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 40 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.42 грн
5000+33.57 грн
7500+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : ON Semiconductor fgd3n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : ON Semiconductor fgd3n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+46.98 грн
271+45.80 грн
278+44.60 грн
286+41.85 грн
500+37.68 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : ON Semiconductor fgd3n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+51.62 грн
15+50.34 грн
25+49.07 грн
100+46.08 грн
250+41.52 грн
500+38.76 грн
1000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : ONSEMI 2907308.pdf Description: ONSEMI - FGD3N60LSDTM - IGBT, 6 A, 1.8 V, 40 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.92 грн
18+49.17 грн
100+37.52 грн
500+32.06 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : onsemi / Fairchild FGD3N60LSD-D.PDF IGBTs 600V IGBT HID Application
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.13 грн
10+49.88 грн
100+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM Виробник : ONSEMI fgd3n60lsd-d.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM fgd3n60lsd-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGD3N60LSDTM FGD3N60LSDTM Виробник : ON Semiconductor fgd3n60lsd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 40000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.