FGD3N60UNDF onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 600V 6A TO-252AA
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Gate Charge: 1.6 nC
Test Condition: 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 52µJ (on), 30µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 5.5ns/22ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.52V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGD3N60UNDF onsemi
Description: IGBT NPT 600V 6A TO-252AA, Power - Max: 60 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Gate Charge: 1.6 nC, Test Condition: 400V, 3A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 52µJ (on), 30µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 5.5ns/22ns, IGBT Type: NPT, Supplier Device Package: TO-252AA, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.52V @ 15V, 3A, Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FGD3N60UNDF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGD3N60UNDF | onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| FGD3N60UNDF |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.


