FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 400.68 грн |
10+ | 359.86 грн |
25+ | 339.96 грн |
50+ | 310.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns, Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції FGH30T65UPDT-F155 за ціною від 334.52 грн до 431.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH30T65UPDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FGH30T65UPDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
FGH30T65UPDT_F155 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 33 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 250 W |
товар відсутній |
||||||||||||
FGH30T65UPDT-F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 650V 60A 250W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 250 W |
товар відсутній |
||||||||||||
FGH30T65UPDT-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors FS1TIGBT TO247 30A 650V |
товар відсутній |