FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 456.44 грн |
| 31+ | 409.94 грн |
| 32+ | 387.26 грн |
| 50+ | 353.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns, Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 250 W.
Інші пропозиції FGH30T65UPDT-F155 за ціною від 379.13 грн до 489.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH30T65UPDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH30T65UPDT-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FGH30T65UPDT_F155 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 33 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 250 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FGH30T65UPDT-F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 650V 60A 250W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 250 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FGH30T65UPDT-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors FS1TIGBT TO247 30A 650V |
товару немає в наявності |