FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 521.57 грн |
| 10+ | 468.43 грн |
| 25+ | 442.52 грн |
| 50+ | 404.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH30T65UPDT-F155 ON Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Power - Max: 250 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Active, Gate Charge: 155 nC, Test Condition: 400V, 30A, 8Ohm, 15V, Switching Energy: 760µJ (on), 400µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 22ns/139ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 33 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FGH30T65UPDT-F155 за ціною від 404.34 грн до 521.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH30T65UPDT-F155 | ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FGH30T65UPDT-F155 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 521.57 грн |
| 31+ | 468.43 грн |
| 32+ | 442.52 грн |
| 50+ | 404.34 грн |