FGH40N60SFTU ON Semiconductor
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 70.67 грн |
| 11+ | 69.94 грн |
| 100+ | 68.80 грн |
| 450+ | 66.02 грн |
| 900+ | 61.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40N60SFTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FGH40N60SFTU - IGBT, Universal, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FGH40N60SFTU за ціною від 153.90 грн до 387.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH40N60SFTU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOPackaging: Bulk |
на замовлення 13230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 11850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40N60SFTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBTs N-CH / 40A 600V FS Planar |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40N60SFTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40N60SFTU - IGBT, Universal, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 13230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40N60SFTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGH40N60SFTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FGH40N60SFTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 290 W |
товару немає в наявності |