Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FGH40N60UFDTU
FGH40N60UFDTU

FGH40N60UFDTU ON Semiconductor

fgh40n60ufd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+169.23 грн
120+157.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH40N60UFDTU ON Semiconductor

Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns, Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 290 W.

Інші пропозиції FGH40N60UFDTU за ціною від 92.50 грн до 490.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+230.58 грн
10+228.25 грн
30+166.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+258.36 грн
120+215.60 грн
270+210.57 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+282.10 грн
46+270.47 грн
57+215.92 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : onsemi / Fairchild fgh40n60ufd-d.pdf IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.78 грн
10+292.87 грн
30+184.21 грн
120+147.52 грн
270+146.78 грн
510+129.17 грн
1020+112.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+408.35 грн
4+227.82 грн
11+215.59 грн
120+214.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : ONSEMI 2303983.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+433.88 грн
10+404.24 грн
100+256.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFCE02DE17B4259&compId=FGH40N60UFD.pdf?ci_sign=e2e7f4c0d5faa7c11d312a18c4f8466a13707ecb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 116W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.03 грн
4+283.90 грн
11+258.70 грн
120+257.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU Виробник : ON-Semicoductor fgh40n60ufd-d.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU
Код товару: 61781
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Fairchild fgh40n60ufd-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+92.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU Виробник : onsemi fgh40n60ufd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.