Продукція > Транзистори > IGBT > FGH40N60UFDTU
FGH40N60UFDTU

FGH40N60UFDTU

fgh40n60ufd-d.pdf
Код товару: 61781
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 1,8 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 80 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 40 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 290 Вт
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+92.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FGH40N60UFDTU за ціною від 114.66 грн до 280.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.85 грн
71+201.90 грн
120+168.11 грн
510+138.95 грн
1020+123.22 грн
2010+114.66 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.90 грн
30+201.95 грн
120+168.15 грн
510+138.98 грн
1020+123.25 грн
2010+114.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.27 грн
10+164.59 грн
30+141.68 грн
120+140.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON-Semiconductor info-tfgh40n60ufdtu.pdf IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+280.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi fgh40n60ufd-d.pdf IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI 2303983.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
Verlustleistung: 290W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+203.85 грн
71+201.90 грн
120+168.11 грн
510+138.95 грн
1020+123.22 грн
2010+114.66 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+203.90 грн
30+201.95 грн
120+168.15 грн
510+138.98 грн
1020+123.25 грн
2010+114.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.27 грн
10+164.59 грн
30+141.68 грн
120+140.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU info-tfgh40n60ufdtu.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ON-Semiconductor
IGBT 600V 80A 290W   FGH40N60UFDTU TFGH40N60ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+280.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: onsemi
IGBTs 600V 40A Field Stop
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60UFDTU 2303983.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
Verlustleistung: 290W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AB
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.