Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > FGH40T120SMD-F155

FGH40T120SMD-F155

fgh40t120smd-d.pdf
Код товару: 154761
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FGH40T120SMD-F155 за ціною від 318.58 грн до 989.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.20 грн
30+383.28 грн
120+325.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 onsemi fgh40t120smd-d.pdf IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.35 грн
10+411.76 грн
120+318.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI 4097325.pdf Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+706.35 грн
5+562.45 грн
10+417.73 грн
50+381.78 грн
100+347.48 грн
250+341.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 277W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+888.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+989.02 грн
30+584.73 грн
120+496.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+673.20 грн
30+383.28 грн
120+325.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+706.35 грн
10+411.76 грн
120+318.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 4097325.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 555W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+706.35 грн
5+562.45 грн
10+417.73 грн
50+381.78 грн
100+347.48 грн
250+341.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Power dissipation: 277W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+888.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+989.02 грн
30+584.73 грн
120+496.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.