FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 450+ | 335.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 555 W.
Інші пропозиції FGH40T120SMD-F155 за ціною від 297.09 грн до 1029.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 555W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FGH40T120SMD-F155 Код товару: 154761 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 277W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.37µC Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 277W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.37µC Mounting: THT Case: TO247-3 |
товар відсутній |