FGH40T120SMD-F155
Код товару: 154761
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGH40T120SMD-F155 за ціною від 317.78 грн до 973.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : onsemi |
IGBTs 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 555W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 0.37µC Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Power dissipation: 277W Collector-emitter voltage: 1.2kV |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FGH40T120SMD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |