FGH40T120SMD ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 402.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40T120SMD ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns, Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 370 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 555 W.
Інші пропозиції FGH40T120SMD за ціною від 276.61 грн до 711.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH40T120SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 277W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 0.37µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH40T120SMD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 2322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGH40T120SMD | Виробник : onsemi |
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FGH40T120SMD | Виробник : ON-Semiconductor |
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FGH40T120SMD | Виробник : ON-Semiconductor |
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
FGH40T120SMD Код товару: 104369
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|