Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGH40T120SMD за ціною від 282.45 грн до 679.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40T120SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FGH40T120SMD | ON-Semiconductor |
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smdкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FGH40T120SMD | ON-Semiconductor |
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smdкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40T120SMD | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 277W Gate charge: 0.37µC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 160A Type of transistor: IGBT Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 40A |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40T120SMD | onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FGH40T120SMD | onsemi |
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 505.35 грн |
| 30+ | 500.84 грн |
| 120+ | 435.79 грн |
| 510+ | 396.11 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 520.27 грн |
| 30+ | 515.22 грн |
| 120+ | 449.21 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 526.85 грн |
| 30+ | 521.73 грн |
| 120+ | 454.89 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 559.86 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 559.86 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 277W
Gate charge: 0.37µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 277W
Gate charge: 0.37µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 160A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 633.58 грн |
| 10+ | 505.23 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 679.55 грн |
| 30+ | 387.10 грн |
| 120+ | 328.44 грн |
| 510+ | 282.45 грн |
| FGH40T120SMD |
![]() |
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






