Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FGH40T120SMD за ціною від 275.26 грн до 944.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGH40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | Виробник : ON-Semiconductor |
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smdкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGH40T120SMD | Виробник : ON-Semiconductor |
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ; FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smdкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH40T120SMD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 0.37µC Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Power dissipation: 277W Collector-emitter voltage: 1.2kV |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH40T120SMD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 555 W |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH40T120SMD | Виробник : onsemi |
IGBTs 1200V 40A FS2 Trench IGBT |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FGH40T120SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FGH40T120SMD | Виробник : ONS/FAI |
IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |




