FGH40T120SQDNL4 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 552.12 грн |
| 5+ | 488.57 грн |
| 10+ | 425.85 грн |
| 50+ | 336.42 грн |
| 100+ | 304.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40T120SQDNL4 ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 221 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 454 W.
Інші пропозиції FGH40T120SQDNL4 за ціною від 334.74 грн до 706.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH40T120SQDNL4 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 166 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 221 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 454 W |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FGH40T120SQDNL4 | Виробник : onsemi |
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 221nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 221nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |