FGH40T120SQDNL4 onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 707.93 грн |
| 30+ | 403.15 грн |
| 120+ | 342.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40T120SQDNL4 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 160A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 166 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns, Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 221 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 454 W.
Інші пропозиції FGH40T120SQDNL4 за ціною від 345.12 грн до 818.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGH40T120SQDNL4 | Виробник : onsemi |
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 160A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 160A 454W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FGH40T120SQDNL4 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 227W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 221nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |

