FGH40T65SHD-F155 onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 251.32 грн |
10+ | 203.27 грн |
450+ | 146.21 грн |
1350+ | 117.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH40T65SHD-F155 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns, Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 72.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 268 W.
Інші пропозиції FGH40T65SHD-F155 за ціною від 113.49 грн до 273.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH40T65SHD-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 650 V, 40 A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FGH40T65SHD-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FGH40T65SHD-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FGH40T65SHD-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |